其中P(T)為輻射能量，σ為斯特藩—玻耳茲曼常量，ε為發(fā)射率，紅外測溫的精確與待測材料的發(fā)射率密切相關(guān)，由于COB光源表面的大部分材料發(fā)射率是未知的，為了精準測溫，可將光源放置在恒溫加熱臺上，待光源加熱到一個已知溫度處于熱平衡狀態(tài)后，用紅外熱成像儀測量物體表面溫度，再調(diào)整材料的發(fā)射率，使其溫度顯示為正確溫度。50W集成光源2)采用ASM的焊線設(shè)備將晶片11與基板12過導(dǎo)電線13進行電性連接，使晶片11與基板12上的電路實現(xiàn)導(dǎo)通，焊接完成后，對產(chǎn)品進行檢測，不合格的產(chǎn)品重新返修，合格的產(chǎn)品轉(zhuǎn)入下一道工序；3)在基板12上設(shè)置第一層圍壩14，晶片11及導(dǎo)電線13處于第一層圍壩14所包圍的區(qū)域內(nèi)，將設(shè)置好第一層圍壩14的基板12放進烤箱進行烘烤，待第一層圍壩14固化后取出50W集成光源

●COB光源電性穩(wěn)定，電路設(shè)計、光學(xué)設(shè)計、散熱設(shè)計科學(xué)合理；●COB光源采用熱沉工藝技術(shù)，保證LED具有業(yè)界領(lǐng)先的熱流明維持率（95%）?！癖阌诋a(chǎn)品的二次光學(xué)配套，提高照明質(zhì)量。；●COB光源具有高顯色、發(fā)光均勻、無光斑、健康環(huán)保。。當然，亦可以采用自然固化的方法使第一層圍壩14固化；在第一層圍壩14上設(shè)置第二層圍壩15，將設(shè)置好第二層圍壩15的基板12放進烤箱進行烘烤，待第二層圍壩15固化后取出，亦可以采用自然固化的方法使第二層圍壩15固化，此時第一層圍壩14以及第二層圍壩15形成整體式的整體圍壩。根據(jù)實際需要，可在第二層圍壩15上設(shè)置繼續(xù)設(shè)置圍壩，這樣形成整體圍壩的層數(shù)更多，使得整體圍壩的高度更高，設(shè)置圍壩的目的是為了后面的封膠做準備，而設(shè)置多層的整體圍壩是為了增加圍壩的高度，亦可用其他方法增加圍壩的高度，如優(yōu)化圍壩設(shè)備等；50W集成光源在散熱方面（以鋁基板為例）：由上圖可以看到MCOB的鋁基板焊接的芯片沒有絕緣層，熱量直接導(dǎo)入鋁層上，而鋁層導(dǎo)熱率271~320w/m.k50W集成光源

這兩個方面的技術(shù)突破，使得國星光電COB燈具壽命及光品質(zhì)有保證。

。熱量快速導(dǎo)出，延長平面光源使用壽命。COB鋁基板的芯片熱量有絕緣層的熱阻，而絕緣層的導(dǎo)熱率為0.4~3.0w/m.k，這樣阻撓芯片的熱量往下傳遞。散熱比MCOB平面光源要慢很多。

50W集成光源參考資料：百度百科-COB集成光源集成LED一般是市場上對COB光源的一種別稱，但實際上并不能將COB光源的特點描述清楚50W集成光源光衰較大失效的主要原因是硅膠的黃化或透過率降低。正裝結(jié)構(gòu)LEDp、n電極在LED的同一側(cè)，電流須橫向流過n-GaN層，導(dǎo)致電流擁擠，局部發(fā)熱量高，限制了驅(qū)動電流；其次，由于藍寶石襯底導(dǎo)熱性差，嚴重阻礙了熱量的散失。在長時間使用過程中，因為散熱不好而導(dǎo)致的高溫，影響到硅膠的性能和透過率，從而造成較大的光輸出功率衰減。。COB指Chip-On-Board，將小功率芯片直接封裝到鋁基板上快速散熱，芯片面積小，散熱效率高、驅(qū)動電流小。因而具zhidao有低熱阻、高熱導(dǎo)的高散熱性。相比普通SMD小功率光源特點：亮度更高，熱阻?。?